全部作者：王伟 孙建平 顾宁第1作者单位：东南大学论文摘要：运用1种量子模型研究铪基高k栅介质纳米MOSFET栅隧穿电流，对栅电流中的3维电流成分用行波统1地计算热发射电流、通过介质势垒的FN (Fowler- Nordheim) 隧穿电流，直接隧穿电流，带间隧穿电流；对2维栅电流成分通过反型层势阱中准束缚态的隧穿率计算。运用该方法计算了各种铪基高k介质材料和结构的MOSFET栅极电流, 并进行了分析比较。研究了铪基高k介质中氮、铪和铝等元素含量及界面层对栅极电流的影响。结果显示，为最大限度减少MOS器件的栅电流，需要优化介质中氮含量、铝含量及界面层厚度。本模型能够与实验结果很好地吻合。关键词：高k；栅电流；量子模型 (浏览全文)发表日期：2006年06月06日同行评议：
作者在已有自己研究工作的`基础上，发展了纳米MOSFET栅隧穿电流模型。计算结果与实验相1致，且文中给出的结果对发展铪基高k栅介质纳米MOSFET栅有指导意义。下面问题请作者考虑：（1）作者单位：Southest University，书写有误，改为Southeast University（2）中文摘要：“……计算了各种铪基高k介质材料…..”中“各种”建议改为“多种”。（3）Fig. 2 图题中，Data of crystallization temperature are from [1]（上标）. 文献[1]的标注不应是上标，应为“from [1]”，其余同。（4）Fig. 3(a) 中标了5种情况，实际有6根曲线。（5）Fig. 5 下面的正文文字（1，2行）字号大小不1样大。
